牙髓炎或牙根尖周炎患者在临床治疗中，易发生以疼痛和肿胀等特点为主的根管治疗急性反应(Endodontic Interappointment Emergencies，EIAE)，发生率可达11%~40%^[1]。应用激光照射缓解根管治疗急性反应有明显效果^[2]。本文应用半导体激光，采取牙根管外照射方法，观察比较激光照射预防或缓解根管治疗的急性反应。结果报告如下。

选取本院口腔内科2002年3月~2006年5月需进行根管治疗的患者304例，包括确诊为慢性根尖周炎、慢性牙髓炎或牙髓坏死等牙齿疾病；要求无牙周病，无糖尿病等其他系统性疾病。另外收集进行根管充填术后出现疼痛和/或肿胀的患者175例。

(1)仪器与试剂：Root ZX根管长度测量仪(日本本田公司)；半导体激光治疗仪(北京SUNDOM电子技术有限公司)；激光发射波长810 nm，输出功率2.0 mW；樟脑酚棉捻、甲硝唑、先锋 IV等。(2)激光照射预防急性反应观察：需进行根管治疗的304例患者，随机分为激光照射组155例；对照组149例。全部患牙测量根管长度，3%双氧水与生理盐水交替冲洗根管，樟脑酚棉捻开放。激光照射组采用半导体激光在根尖区颊侧牙槽粘膜处照射3 min；对照组不做任何处理。24h后观察并记录2组患者主观症状和体征。比较2组急性反应发生率。急性反应疼痛分级按文献^[3]标准，其中，0级：无疼痛，患牙无任何症状或体征；ⅳ级：轻度疼痛不适，无需药物治疗或急诊处理；II 级：发生疼痛，仅需药物治疗或降低咬合即可缓解； III级：疼痛严重伴有局部肿胀，药物治疗无效。出现II 、III级疼痛即判定为根管治疗急性反应(EIAE)。(3)激光照射缓解急性反应观察：根管充填后出现急性反应症的175例患者，随机分为激光照射组96例，药物治疗组79例。激光治疗组患者应用半导体激光在根尖区颊侧牙槽粘膜处照射3 min；药物治疗组给予口服甲硝唑2次/d，1次2片和先锋4号2次/d、1次2片。24 h后观察并记录急性反应缓解效果。缓解效果判定分3级，其中，照射后疼痛缓解，叩痛消失，局部牙龈无红肿判定为效果显著；照射后疼痛、叩痛及局部牙龈红肿均减轻为有效；照射后疼痛、叩痛及局部牙龈红肿均无改变为无效。

激光照射组155例中，发生轻度疼痛不适(ⅳ级)12例，发生II 级疼痛5例，III级疼痛2例。其中发生II 、III级疼痛计7例，根管治疗急性反应发生率为4.52%。对照组149例中，发生轻度疼痛不适(ⅳ级)14例，发生IV级疼痛8例，IV级疼痛6例。其中发生II 、IV级疼痛计14例，根管治疗急性反应发生率为10，74%，经χ²检验，2组根管治疗急性反应发生率差异有统计学意义(P<0.05)，表明半导体激光牙根管外照射可有效预防根管治疗急性反应的发生。

激光照射组96例中，经激光照射后急性反应明显缓解28例，有效缓解57例，无效11例；其中有效缓解85例，总有效率为88.54%。药物治疗组79例中，急性反应明显缓解15例，有效缓解43例，无效21例；其中有效缓解58例，总有效率为73.42%。经χ²检验，2组不同方法缓解根管治疗急性反应的有效率差异有统计学意义(P<0.05)，表明半导体激光牙根管外照射缓解根管治疗急性反应的作用优于常规药物治疗。

研究表明，激光根管内照射可有效地消毒根管^[4]，避免急性根尖周炎发作。本文应用半导体激光进行根管外根尖区照射，观察根管外照射对根管治疗急性反应的预防和缓解效果。结果表明，半导体激光牙根管外照射可以有效预防根管治疗急性反应的发生，并且可以明显改善经根管填充术后患牙的疼痛及肿胀。这主要是依靠半导体激光产生的刺激调理作用^[5]，改善根尖区的血液循环，加速炎症吸收，促进根尖区病变愈合。对于根充术后的患者，采用激光根管外照射方法，可避免再次根管治疗的痛苦，且消炎镇痛效果明显^[6]。

半导体激光属于低功率激光，具有输出功率稳定、穿透深、携带方便等优点^[7]，激光被组织吸收后产生的热能和化学能非常小，不会伤害组织，具有局部外照射效果明显的独特优势，适用于牙科患者预防或缓解根管治疗急性反应。