中国辐射卫生  2017, Vol. 26 Issue (1): 96-99  

引用本文 

罗睿, 董富华, 汤彦斌. 浅析医用加速器充电辅助电路设计的几个问题[J]. 中国辐射卫生, 2017, 26(1): 96-99.
LUO Rui, DONG Fu-hua, TANG Yan-bing. The Elementary Analysis on Several Problems of Medical Accelerator Charging Auxiliary Circuit Design[J]. Chinese Journal of Radiological Health, 2017, 26(1): 96-99.

文章历史

收稿日期:2016-08-02
修回日期:2016-11-27
浅析医用加速器充电辅助电路设计的几个问题
罗睿 , 董富华 , 汤彦斌     
中国核动力研究设计院设备制造厂 四川省西核机电设备制造有限公司, 四川 成都 610500
摘要目的 找出医用加速器充电辅助电路设计的原理和方法。方法 该方法主要从物理原理出发,力图避免复杂的数学公式,分析波形频率和产生波形的电路源头。结果 通过使用临界阻尼电路,完成完整的脉冲调制器的调整。结论 通过对突出电路的主要因素进行分析,达到了与实际的辅助电路设计和验证基本吻合并得到了很好的验证。
关键词充电电路    阻尼电路    反尖峰电路    
The Elementary Analysis on Several Problems of Medical Accelerator Charging Auxiliary Circuit Design
LUO Rui , DONG Fu-hua , TANG Yan-bing     
Nuclear power of China Equipment manufacturing Factory. Sichuan Xihe Nuclear Mechanical & Electrical Equipment Manufacturing Co., LTD. Chengdu 610500 China
Abstract: Objective To find out the principle and method of the design of charging auxiliary circuit of medical accelerators. Methods The method is mainly base on the physical principle and trying to avoid the complex mathematical formula in the analysis of waveform frequency and waveform source circuit. Results Through the use of critical damping circuit, complete the full adjustment of pulse modulator. Conclusion Through the analysis of the main factor of the circuit, the actual auxiliary circuit design and verification are consistent and obtained a good verification.
Key words: Charging Circuit    The Damping Circuit    Inverse Peak Circuit    

加速器的充电电路是为仿真线充电的电路,因其要求的精度高,所以一般采取了一些措施,如常用的并联RC型DE-Q电路,当充电电路冲到设定值时,把充电电路切换到一个品质因素Q值较低的电路,然后以电阻发热的方式消耗掉充电电感中的剩余能量,为下一次充电把充电电感设置到零状态;充电完成后,PFN开关闭合,多充电电容(即PFN电容CN)放电,放电完成后,恢复到零状态。

这两次开关的闭合,改变了电路结构,因充电电感感量大,如果不采取措施,如图 1所示,将出现如下一些问题:①充电精度降低;②隔离二极管和充电电感容易损坏;③DE-Q开关管、PFN开关管容易损坏等问题。

图 1 典型并联RC型DE-Q充电电路

A点理想波形为图 2,实测波形示意图为图 3

图 2 A点理想波形

图 3 A点实测波形示意图

图 1充电电路固有震荡角频率为:

$ {{\omega }_{c\text{ }o}}=\frac{1}{\sqrt{{{L}_{c}}{{C}_{N}}}} $
1 波形分析

图 3波形可看出与理想波形有三处不同,分别标注于图上1、2、3处。这三处的共同之处是:它们都是震荡衰减波形,且震荡频率都远大于充电波形频率;不同之处是:1处波形频率大约是充电波形频率的40~80倍,2、3处波形频率大约是充电波形频率的20~50倍。震荡波形意味着是二阶或二阶以上的电路产生,因频率不同所以产生的电路不同。

2 临界阻尼电路

在隔离二极管的前级电路中,由于大电感存在匝间分布电容以及漏感,它们构成的等效电路为图 4

图 4 考虑匝间分布电容以及漏感的电路

值得注意的是,这里的电感是Lp,而不是Lc

在RLC并联谐振电路中,谐振条件为:

$ R\le \frac{1}{2}\sqrt{\frac{L}{C}} $

在DE-Q电路设计时,一般Rd取比$\frac{1}{2}\sqrt{\frac{{{L}_{\text{c}}}}{{{C}_{\text{d}}}}} $稍小一点的值,可以看作等于。在这个电路中,由于Lp大约等于Lc的1-2%,$ \frac{1}{2}\sqrt{\frac{L}{C}}$大大减小,$ R>>\frac{1}{2}\sqrt{\frac{{{L}_{\text{p}}}}{{{C}_{\text{d}}}}}$,即由于Lp的值太小而远离了原有DE-Q电路的震荡条件,所以不可能是LpCdRd构成的振荡电路,只能是LpCf构成了并联振荡电路,图 4电路可简化为图 5图 5并联LC电路固有震荡频率为:

$ {{\omega }_{\text{d 0}}}=\frac{1}{\sqrt{{{L}_{\text{p}}}{{C}_{\text{f}}}}} $
图 5 第1处等效简化电路

比较${{\omega }_{\text{c 0}}} $${{\omega }_{\text{d 0}}} $

$ \frac{{{\omega }_{\text{d 0}}}}{{{\omega }_{\text{c 0}}}}=\frac{\frac{1}{\sqrt{{{L}_{\text{p}}}{{C}_{\text{f}}}}}}{\frac{1}{\sqrt{{{L}_{\text{c}}}{{C}_{\text{N}}}}}}=\sqrt{\frac{{{L}_{\text{c}}}{{C}_{\text{N}}}}{{{L}_{\text{p}}}{{C}_{\text{f}}}}} $

其中:$ \frac{{{L}_{\text{c}}}}{{{L}_{\text{p}}}}$大约为50~100之间,$\frac{{{C}_{\text{n}}}}{{{C}_{\text{f}}}}=0.1\times {{10}^{-6}}{{C}_{\text{f}}} $,该值取决于Cf,对于2~3 H的电感,此值大约为1000~2000 pF之间,当Cf取1000 pF时,$\frac{{{C}_{\text{n}}}}{{{C}_{\text{f}}}}=\frac{0.1\times {{10}^{-6}}}{1000\times {{10}^{-12}}}~=100 $,当Cf取2000 pF时,$ \frac{{{C}_{\text{n}}}}{{{C}_{\text{f}}}}=\frac{0.1\times {{10}^{-6}}}{2000\times {{10}^{-12}}}~=50$。即有$\frac{{{\omega }_{\text{d 0}}}}{{{\omega }_{\text{c 0}}}} $大约在50~100之间,基本符合测试波形频率相互关系。是否真实需测试验证。

图 5电路构成的并联RC振荡电路最大的问题是产生了很高的尖冲和高频震荡,所以需对上升的电压进行压制;同时破坏电路的震荡条件,而由RLC构成的临界阻尼等效电路就具备这个功能,如图 6

图 6 临界阻尼等效电路

图 6中:

$ {{R}_{\text{z}}}\le \frac{1}{2}\sqrt{\frac{{{L}_{\text{p}}}}{{{C}_{\text{f}}}}} $

一般取其1/3-1/10之间,使其可靠地不会处于震荡状态。

功耗大约等于临界阻尼电容的储能:

$ {{P}_{{{\text{R}}_{\text{z}}}}}\approx {{C}_{\text{z}}}E_{0}^{2}{{f}_{\text{r}}} $

可取1.5PRz的功耗。

这样的电路解决了阻尼的问题,但带来了对充电电路的影响,对此进行修正,在阻尼电阻支路上串入电容,此电容不会对原有的分布电容造成影响,一般取值为:Cz≥3Cf,这里取值为:

$ {{C}_{\text{z}}}=5\sim 10{{C}_{\text{r}}} $

耐压:实际电压为E0多一点,考虑余量,取2E0耐压值。

图 7为由此修正的临界阻尼等效电路。

图 7 完整的临界阻尼等效电路

通过临界阻尼电路处理后波形变为图 8

图 8 临界阻尼电路处理后波形

由测试波形消除了第一处的尖峰和震荡,证实了以上分析,并取得很好的效果。

3 反尖峰电路

在使用了临界阻尼电路后,第1处的波形变好,但在第2、3处基本没有改变,说明此处的波由另外的电路产生。而2、3处波形频率基本相当,可以猜想是同一电路产生。

当SW_pfn开通时,充电电感的对地分布电容C0通过隔离二极管极速放电,破坏了隔离二极管左边的电路的稳定性,由充电电感的对地分布电容C0和漏感Lp构成了串联LC震荡电路,如图 9

图 9 SW_pfn开通时隔离二极管右边等效电路

图 10串联LC电路固有震荡频率为:

$ {{\omega }_{\text{g }0}}=\frac{1}{\sqrt{{{L}_{\text{p}}}{{C}_{0}}}} $
图 10 增加阻尼电感的电路

比较$${{\omega }_{\text{g 0}}} $

$ \frac{{{\omega }_{\text{g }0}}}{{{\omega }_{\text{c }0}}}=\frac{\frac{1}{\sqrt{{{L}_{\text{p}}}{{C}_{0}}}}}{\frac{1}{\sqrt{{{L}_{\text{c}}}{{C}_{\text{N}}}}}}=\frac{\sqrt{{{L}_{\text{c}}}{{C}_{\text{N}}}}}{{{L}_{\text{p}}}{{C}_{0}}} $

其中:$\frac{{{L}_{\text{c}}}}{{{L}_{\text{p}}}} $大约为50~100之间,$\frac{{{C}_{\text{N}}}}{{{C}_{0}}}=\frac{0.1\times {{10}^{-6}}}{{{C}_{0}}} $,该值取决于C0,对于2~3 H的电感,此值大约为2000~4000 pF之间,当C0取2000 pF时,$\frac{{{C}_{\text{N}}}}{{{C}_{0}}}=\frac{0.1\times {{10}^{-6}}}{2000\times {{10}^{-12}}}=50 $,当Cf取4000 pF时,$ \frac{{{C}_{\text{N}}}}{{{C}_{0}}}=\frac{0.1\times {{10}^{-6}}}{4000\times {{10}^{-12}}}=25$。即有$ \frac{{{\omega }_{\text{g 0}}}}{{{\omega }_{\text{c 0}}}}$大约在35~70之间,基本符合测试波形频率相互关系。是否真实需测试验证。

此电路工作的原因在于C0的极速放电,极大的破坏了电路的平衡,如果能降低这种变化,此电路的波形将得到改善。设想一个减缓C0放电速度的电路,电感具备这种功能,串接到C0的放电回路中,如图 10

Lg的选取原则:对高频的放电产生作用,而对低频的充电基本不产生作用。选取充电回路中充电电感Lc的0.5%~2%,一般选取1%。

在充电时LcLg的感抗分别为:

$ {{Z}_{\text{cc}}}=2\text{ }\!\!\pi\!\!\text{ }{{f}_{\text{r}}}{{L}_{\text{c}}}~\ \ {{Z}_{\text{gc}}}=2\text{ }\!\!\pi\!\!\text{ }{{f}_{\text{r}}}{{L}_{\text{g}}}=0.012\text{ }\!\!\pi\!\!\text{ }{{f}_{\text{r}}}{{L}_{\text{c}}} $

而由C0Lg组成的电路震荡频率和在为此频率下Lg的感抗分别为:

$ {{f}_{\text{g}}}=\frac{1}{2\pi \sqrt{{{C}_{0}}{{L}_{\text{g}}}}}\text{ }\!\!~\!\!\text{ }\ \ {{Z}_{\text{gg}}}=2\pi {{f}_{\text{g}}}{{L}_{\text{g}}} $

两者阻抗之比为:

$ {{Z}_{\text{gc}}}{{Z}_{\text{gg}}}=\frac{2\pi {{f}_{\text{r}}}{{L}_{\text{g}}}}{2\pi {{f}_{\text{g}}}{{L}_{\text{g}}}}=\frac{{{f}_{\text{r}}}}{{{f}_{\text{g}}}}=\frac{\frac{1}{2\pi \sqrt{{{C}_{\text{N}}}{{L}_{\text{c}}}}}}{\frac{1}{2\pi \sqrt{{{C}_{0}}{{L}_{\text{g}}}}}}=\sqrt{\frac{{{C}_{0}}{{L}_{\text{g}}}}{{{C}_{\text{N}}}{{L}_{\text{c}}}}}\approx \frac{1}{10}\sqrt{\frac{{{C}_{0}}}{{{C}_{\text{N}}}}} $

此值大约在1:50到1:70之间。

在增加了阻尼电感Lg后将C0上的能量转移给了Lg,这将影响PFN电路的波形,为了降低这种影响,与Lg并联一个阻尼电阻Rg来消耗这个能量,如图 11

图 11 完整的尖峰阻尼电路

Rg的选取:

阻值:ZgcRgZgg

功耗:PRg≈4C0e02fr,一般取其1.5倍。

调整后的波形为图 12,由测试波形证实了以上分析,并取得很好的效果。

图 12 尖峰阻尼电路处理后波形

至此,完整的脉冲调制器的调整完成,如图 13

图 13 调整完成的脉冲调制器
4 结束语

加速器的脉冲调制器充电电路是一个比较复杂的电路,以上的分析是突出电路的主要因素进行分析,如果要进行精确分析需借助于模拟软件等措施,但这种分析已经基本够用,在实际的辅助电路设计和验证中已经得到了很好的验证。另外,以上的计算是建立在一定范围内的经验值的基础上的,对于具体的电路应根据实际情况进行确定。

参考文献
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强伯涵, 魏智. 现代雷达发射机的理论设计与实践[M]. 北京: 国防工业出版社, 1985.
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