大量研究及实践证明电离辐射可导致染色体的损伤, 且染色体畸变率与辐射剂量之间有密切关系。染色体对电离辐射具有高度敏感性, 即使很低的剂量也可察觉出诱导的染色体畸变。染色体畸变的发生又是肿瘤及许多疾病的基础和根源。本研究的目的在于研究职业性低水平电离辐射照射对从业人员外周血淋巴细胞染色体的影响。
1 调查对象和方法 1.1 调查对象以长期暴露于职业性低水平氡及其子体的日本国玉川温泉从业人员及医院放射科诊疗人员为调查对象, 观察不同放射性工种的职业人员的染色体畸变。
1.1.1选择玉川温泉从业人员9名, 均男性, 职业工龄平均13年。根据个人剂量测量(玻璃剂量计)估算出他们的累积吸收剂量为0.04 ~0.13m Sv /月。工作岗位的辐射水平是对照地区温泉的1.85倍(见表 1)。选择秋田温泉职工10名为对照组, 平均职业工龄3.6年。两地区人员的生活习惯基本相同。
选择秋田大学医学部附属医院放射科人员18名, 均男性为另一组实验研究对象。职业工龄5~20年, 他们接受的累积吸收剂量为0.02~0.22m Sv /月。选择该部其它科室人员18名为相应的对照组, 条件与之相匹配。
1.2 实验方法按常规方法制备外周血淋巴细胞染色体标本。观察染色体型及单体型(包括裂隙及等点裂隙)畸变。用t检验进行数据统计学处理。
2 结果 2.1 不同工种职工外周血淋巴细胞染色体畸变率列于表 2中。由表可见, 玉川温泉职工淋巴细胞染色体型畸变细胞率为0.71 /100细胞, 明显高于对照组。医院放射科人员的染色体型畸变细胞率为1.28 /100细胞, 亦显著高于对照组。从两类不同工种的结果来看, 放射科人员的染色体型畸变细胞率稍高于玉川温泉的结果, 二者无显著性差异(以95%可信限计算)。
将受照者按累积吸收剂量分成三个组时, 发现受照射人员的染色体型、单体型及总畸变细胞率均有随剂量增加而增加的趋势, 尤其是染色体型畸变细胞率变化明显(见表 3)。
电离辐射诱导的淋巴细胞染色体畸变主要是由于各种射线的电离粒子导致细胞核内DN A的双链或单链断裂或重接造成的。如果DN A链断裂(在G0或G1期)后发生或不发生重接, 则产生染色体型畸变; 如果在S和G2期断裂或重接可导致染色单体型畸变。无论染色体型或染色单体型畸变均为DN A的损伤与错误修复(如:双着丝粒体、环、易位、倒位及染色单体互换等)或未修复(如:无着丝粒断片、末端缺失及染色单体断裂等)的结果。
玉川温泉是辐射本底较高的地区, 其放射性主要来源于氡及其子体。玉川温泉工作场所周围环境中的辐射水平是对照地区的17.8 (3.3- 36)倍。玉川温泉从业人员长期接受氡及其子体的α、β及γ射线的照射。当然由于α粒子对组织和细胞的穿透能力很小(不到几个微米), 所以主要是由于β及γ射线导致淋巴细胞染色体型畸变细胞率明显高于对照组, 与文献报道结果相似〔1, 2〕。医院放射科从业人员血淋巴细胞染色体畸变研究的资料较多〔3, 4, 5〕, 虽然他们所接受的累积吸收剂量有高有低, 但染色体畸变率均显著高于对照组, 且有随职业工龄的延长及剂量的增加而增加的趋势。由于秋田大学附属医院放射科职业人员接受的相对较高剂量水平的人数较多, 且每天受照时间相对较长, 所以该科人员的淋巴细胞染色体型畸变细胞率高于玉川温泉的结果。这些均证明了职业受照射人员的淋巴细胞染色体畸变率增高是确定的, 反映出职业性低水平电离辐射可诱导受照射者DN A损伤是无疑的。
3.2有关低水平电离辐射的刺激效应问题也是当前国内外学术界讨论的一个热点。一些动物实验及职业受照射人员的血淋巴细胞遗传学资料支持小剂量电离辐射可诱导细胞的适应性反应及免疫功能增强〔6〕, 即低水平电离辐射还存在着有益效应的一个方面。有关这方面的问题在另外的文章中进行讨论。
承蒙卫生部工业卫生实验所姜涛同志参加了部分实验工作以及秋田大学医学部有关人员的帮助, 特此致谢。
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