| 试论提高电容器级钽粉质量 |
钽电解电容器正向两个方面发展,一是提高比电容量,国外大量使用钽粉的比容已达12000~18000μFV/g;二是提高可靠性,国外固体钽电容器达10-10/h,耐压达12V[2]。
1 钽粉质量要求及其发展水平表征钽粉质量有化学纯度,物理、电气和储存性能,但最终表现在电性能上。根据不同用途,有不同的要求。一般是按钽容器的工作电压来划分其使用范围,国外将工作电压35V以下定为低压,35~50V为中压,50V以上为高压。我国则按阳极的赋能电压划分为A、B、C三个系列,赋能电压100V为A系列(工作电压25V以下的低压电粉),赋能电压200V为B系列(工作电压40V),赋能电压270V为C系列(工作电压63V以上高压电粉)。我国将钽电解电容器的额定电压划分为6.3V、10V、16V、25V、40V和63V等档次。
钽粉质量是受生产方法制约的。国外电容器级钽粉有两种:钠还原粉和电子束熔炼粉。钠还原粉(比容8000~20000μFV/g)主要应用在35V以下低压范围;电子束熔炼粉(比容1000~3000)主要应用在35~120V中及高压范围。我国电容器级钽粉主要有三种:钠还原粉,碳还原粉和电子束熔炼粉。钠还原粉主要应用在低压范围(有的厂家也用作中压〈B系〉粉),碳还原粉、电子束熔炼粉主要应用在中、高压范围[1]。低压钽粉具有电容量高的特点,有利于电容器的小型化和微型化,故广泛用于民用电器;中、高压钽粉具有化学纯度高的特点,耐压高,使用寿命长,大都用于高可靠钽电容器,特别是军工用电子元件。
1.1 低压钽粉低压钽粉大都使用钠还原粉,它是氟钽酸钾经金属钠还原-水酸洗-热处理工艺而制得的钽粉。由于钠还原方式不同,制得钽粉的质量也不尽相同,特别是化学杂质含量和比容方而有显著不同。按照K2TaF7-Na反应始起温度不同.还原方式有固-液、液-液和液-气反应,生产超高容钽粉-般采用低温固-液还原方式,并辅以掺杂等手段。低压钽粉正向超高比容发展。国外钽粉的比容由5000μFV/g提高到27000μFV/g。我国钽粉的比容由3000μFV/g提高到22000μFV/g,但批量生产和使用钽粉的比容在8000~15000μFV/g。
1.2 中高压钽粉国外大都采用钠还原粉电子束熔炼-氢化制粉工艺,钽粉纯度99.9%,所以中、高压钽粉一般是高纯钽粉。我国中、高压钽粉的生产方式有三:钠还原粉电子束熔炼-氢化工艺,钠还原粉烧结-氢化工艺,五氧化二钽碳还原-烧结-氢化工艺。中高压钽粉也有一个提高比容的问题,国外中压钽粉的比容达7000~8000μFV/g,高压钽粉的比容达3000~4000μFV/g。我国中压钽粉的比容达5000~6000μFV/g,高压钽粉的比容达2500~2800μFV/g。
由于中压钽粉耐压和容量较高,故倍受国内用户欢迎。国内B系钽粉生产方法不同,钽粉质量有所差异。如用钠还原粉做40V电容器显然不如电子束熔炼粉,其成品合格率偏低就在于此。由于钠还原粉中杂质含量偏高(如O、C、K、Na等),这些杂质是使钽阳极氧化膜上痹点缺陷增多的主要根源,导致漏电流增大,击穿电压降低,不宜直接作中压粉,故需采取提纯措施。
2 提高钽粉质量的主要措施 2.1 低压超高容钽粉对低压超高容钽粉而言。主要是采用钠还原掺杂和脱氧处理,以提高钽粉比容。
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| 图 1 制取超高比容钽粉原则工艺流程 |
2.1.1 钠还原掺杂
制取比容超过10000μFV/g以上的钽粉,要依靠掺杂剂。掺杂剂起着“烧结制动器”的作用,在热处理和阳极块烧结时可以明显减少表面损失。一般在K2TaF7还原时加入掺杂剂以阻碍粒度长大,这样在还原条件不变的情况下,可使粉末表面积明显增加,平均粒径下降。掺杂方式既可往K2TaF7也可往反应混合物中加入。掺杂剂多种多样,有的掺非金属元素,有的掺金属元素,如掺磷、硼、硫、镁等,一般以它们的化合物形态加入。多数掺磷酸盐,加入量50~200PPM。
2.1.2 钽粉脱氧处理用含氧高的钽粉.会使钽阳极成型性变差,烧结时使引线钽丝发脆,漏电流增大,击穿电压降低,钽粉含氧应低于0.3%。
钠还原钽粉中氧的形态有固溶氧、吸附氧、Ta2O5、Ta(OH)5、及钽酸钾(钠)和偏钽酸钾(钠)等。特别是吸附氧与钽粉比表面积成直线关系,所以在制取超高容钽粉时,一定要进行脱氧处理。对于含氧高的钽粉,通常采用稀氢氟酸洗涤去氧,这对于颗粒较粗,比表面积较小的钽粉是有效的,但对于粒形复杂比表面积大并含有偏钽酸盐较多的钽粉,很难用氢氟酸洗涤去氧,作为钽粉除氧的还原剂,要求还原产物及过量还原剂易溶于稀酸而与钽分离。国内外一般采用镁、钙脱氧,以镁为最佳还原剂。当镁与钽粉在真空或惰性气氛下加热时,发生如下还原反应。
Mg+H2O=MgO+H2↑
5Mg+Ta2O5=2Ta+5MgO
3Mg+MeTa03=Ta+3MgO+Me(式中Me为K或Na)
国内某厂采用镁脱氧处理:加镁量按钽粉重1.2%加入,还原温度850~950℃,还原时间2小时。见表 1、2[3]钽粉经镁还原降氧后,其中0、K、Na、Si等杂质含量明显降低,K、Na的降低是由于偏钽酸盐被还原生成K、Na,SiO2被还原为SiO以气态逸出。脱氧钽粉酸洗后含Mg 5PPm。经镁脱氧后的钽粉,钽阳极漏电流降低,损耗减少,击穿电压升高。
| 表 1 钽粉镁脱氧后含量氧(%) |
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| 表 2 钽粉镁脱氧前后钾、钠、硅含量(ppM) |
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2.2 中高压钽粉
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| 图 2 日本制取片状钽粉原则工艺流程 |
在精炼提纯的基础上,主要改进制粉方法,使之粒度细化,改变粒形、并辅以掺杂、凝聚热处理等。目前,国内外把研究重点放在提高中、高压钽粉比容。为此,高可靠用钽粉除有较高的纯外,还对钽粉的粒度、粒形有特殊的要求。
国外中、高压钽粉平均粒径从7μn降到3μn.粒形与低压高比容钽粉不同,不宜太复杂。近几年来对钽锭氢化制粉工艺进行了研究,一是钽锭氢化时控制氢含量,用球磨等进行挤压制取宽高比为2~60,且至少70%的粉末是由3~44μm宽的扁平状颗粒所组成的钽粉;二是反复多次进行凝聚-磨筛-分级处理。[3]
| 表 3 化学分析和物性[4] |
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| 表 4 钽粉电性能 |
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| [1] |
幸良佐.
钽铌冶金[M]. 北京: 冶金工业出版社, 1982.
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| [2] |
梁梦娥译. 电容器钽粉发展的新动向, 钽铌工业进展, 1986(1).
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| [3] |
宁夏905厂. 16伏-22000比容钽粉研制及其性能, 1990.
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| [4] |
日本专利, 昭63-328203. 1988.
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1992, Vol. 6


