广东工业大学学报  2024, Vol. 41Issue (3): 29-35.  DOI: 10.12052/gdutxb.230116.
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引用本文 

钟家锐, 林琳, 郑程. SnSe2@C储钠负极材料的合成及电化学性能研究[J]. 广东工业大学学报, 2024, 41(3): 29-35. DOI: 10.12052/gdutxb.230116.
Zhong Jia-rui, Lin Lin, Zheng Cheng. Synthesis and Electrochemical Research of Sodium Storage Anode SnSe2@C[J]. JOURNAL OF GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2024, 41(3): 29-35. DOI: 10.12052/gdutxb.230116.

基金项目:

国家自然科学基金资助面上项目(52372184)

作者简介:

钟家锐(1998–) ,男,硕士研究生,主要研究方向为钠离子电池电极材料制备,E-mail:2769094782@qq.com

通信作者

郑程(1985–) ,女,副教授,博士研究生,主要研究方向为钠离子电池,E-mail:zhengcheng@gdut.edu.cn

文章历史

收稿日期:2023-08-28
SnSe2@C储钠负极材料的合成及电化学性能研究
钟家锐, 林琳, 郑程    
广东工业大学 材料与能源学院, 广东 广州 510006
摘要: 二硒化锡(SnSe2)具有高理论比容量、原料广泛、成本低廉等优点,是一种十分有前途的钠离子电池负极材料,但同时在实际充放电过程中也受限于体积膨胀导致的结构破坏问题。鉴于此,本文通过高温煅烧的方法成功合成了碳包覆的二硒化锡(SnSe2@C)。碳包覆提高了二硒化锡材料作为钠离子电池负极的导电性和稳定性,使得SnSe2@C具有优异的高比容量(在1.0 A·g−1下,比容量为549.0 mAh·g−1)和倍率性能(在5.0 A·g−1下,比容量为427.7 mAh·g−1)。
关键词: 二硒化锡    纳米材料    钠离子电池    负极材料    电化学    
Synthesis and Electrochemical Research of Sodium Storage Anode SnSe2@C
Zhong Jia-rui, Lin Lin, Zheng Cheng    
School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China
Abstract: Tin selenide (SnSe2) is a very promising negative electrode material for sodium ion batteries, which has advantages such as high theoretical specific capacity, wide range of raw materials, and low cost. However, it is also limited by the structural damage caused by volume expansion during charging and discharging processes. A research is conducted on the successful synthesis of carbon coated tin selenide (SnSe2@C) through high-temperature annealing. Carbon coating improves the conductivity and stability of the material as sodium-ion battery anode, making SnSe2@C has high specific capacity (549.0 mAh·g−1 at 1.0 A·g−1) and excellent rate performance (427.7 mAh·g−1 at 5.0 A·g−1).
Key words: SnSe2    nano material    sodium-ion batteries    anode    electrochemistry    

随着能源需求的增长和传统能源资源的枯竭,开发可再生新能源资源已成为当今社会面临的重要挑战[1-2]。为了适应可再生能源的波动性和不确定性的需求,人们开发出锂离子电池等新型能源储存设备[3]。锂、钴等原材料价格的上涨导致锂离子电池制备成本逐年攀增,而钠离子电池(Sodium-ion Batteries, SIBs)具有钠元素来源丰富和成本低的优势[4]。因此,发展SIBs有助于扩大新能源储存技术的选择空间,提供更多适用于不同需求的解决方案[5-6]。但是SIBs还存在能量密度较低、充电速度较慢和缺乏合适负极材料等缺陷[7]

SnSe2是层层堆叠的二维纳米材料,其每个片层由锡原子和硒原子组成,层之间通过弱的范德华力相互作用堆叠连接在一起[8]。这种特殊的结构使得层与层之间具有较大的间距,有利于大量的Na+进行快速穿梭[9-10]。SnSe2还同时具有756.0 mAh·g−1的高理论比容量,因此它作为SIBs负极不仅可以实现大电流充放电,还具有较高的比容量[11]。但是,在充放电过程中SnSe2有较大的体积膨胀,这导致其结构坍塌而容量下降[12]。本文通过水热法得到均匀的SnO2颗粒,再使盐酸多巴胺(Dopamine hydrochloride, DA)均匀包覆在SnO2表面,最后通过高温煅烧处理,同时进行碳化过程和硒化过程得到碳包覆的二硒化锡(SnSe2@C)。一方面,该方法有利于得到大小均匀的SnSe2颗粒,同时颗粒表面被均匀的碳层包覆。另一方面,DA作为碳壳的原料,它其中含有的N元素能进行有效的N掺杂。碳包覆解决了SnSe2的体积膨胀问题,而N掺杂有利于增加材料的活性位点和增大材料的容量。SnSe2@C作为SIBs负极材料,在5.0 A·g−1的电流密度下,仍能保持427.7 mAh·g−1的超高比容量,且在不同电流密度下体现出优异的倍率性能。

1 实验 1.1 材料合成及表征 1.1.1 SnSe2的合成

称取1.44 g CO(NH2)2和1.15 g K2SnO3·3H2O,溶解于无水乙醇和去离子水中。在180 ℃下进行水热1 h,取出样品后用去离子水和乙醇交替洗涤离心3次后,放入烘箱60 ℃烘干24 h,得到SnO2白色粉末。

称取30 mg SnO2和31.6 mg Se粉末置于一只瓷舟的两端,Se置于上游,在氩氢混合气氛(氢气含量5%)下以5 ℃·min−1的速率升温到400 ℃后,在管式炉中恒温煅烧5 h,得到SnSe2

1.1.2 SnSe2@C的合成

取100 mg SnO2和50 mg盐酸多巴胺,溶于100 mL去离子水中。剧烈搅拌4 h后,离心收集沉淀,放入烘箱60 ℃烘干24 h,得到盐酸多巴胺包覆的二氧化锡(SnO2@DA)。

取30 mg SnO2@DA和23.5 mg Se粉末在SnSe2合成相同的煅烧条件下得到SnSe2@C。

1.1.3 材料表征测试

X射线衍射(X-ray Diffraction, XRD)采用德国布鲁克D8 Advance X射线衍射仪,铜靶(0.154 nm,1.54 Å)。利用日立SU8010场发射扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)观察了制备材料的形貌。采用JEM-2100 F场发射透射电镜获得了材料的透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope, TEM)图像和元素分布图。X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)测量采用美国Thermo Scientific K-Alpha型X射线光电子能谱仪。

1.2 电化学性能测试 1.2.1 电池的组装

以合成的SnSe2或SnSe2@C为活性材料,导电炭黑为导电剂,聚四氟乙烯为黏结剂,质量比为8:1:1混合制备工作电极。然后,将混合物擀至直径为8 mm,然后固定在泡沫铜集流体上,在120 ℃下真空干燥6 h。每个工作电极中活性物质质量为1 mg。将制备的工作电极、Whatman玻璃纤维隔膜、金属钠作为对电极,以及1 mol·L−1乙二醇二甲醚溶解的NaPF6为电解液,在充满氩气的手套箱组装成CR 2032型纽扣电池。组装好后电池静止12 h进行各种电化学性能测试。

1.2.2 电化学性能测试

所有的测试皆用组装好的纽扣电池进行。在LAND CT2001A电池测试系统上0.01~3 V电压范围内,测试了恒流充放电循环性能和倍率性能。循环伏安法(Cyclic Voltammetry, CV)在上海辰华公司的CHI700E电化学工作站上进行。电化学阻抗谱(Electrochemical Impedance Spectroscopy, EIS)在CHI760E电化学工作站上测量,交流电压为5 mV,频率为100 kHz~10 mHz。

2 实验结果及讨论 2.1 形貌和结构表征

图1是合成材料SnSe2和SnSe2@C所对应的XRD测试谱图。可以清楚地看到,在14.4°、30.7°、40.0°和47.6°处的衍射峰分别属于SnSe2(PDF#23-0602)的(001)、(101)、(102)和(110)晶面[8]。SnSe2和SnSe2@C的衍射峰与标准SnSe2卡片的衍射峰基本一致,且尖锐的衍射峰表明合成的材料具有良好的结晶度。相较于SnSe2,SnSe2@C的XRD谱图在20°附近出现碳所对应的峰包。为进一步探究碳元素在材料中的存在和位置,实验对材料进行了SEM测试。

图 1 SnSe2和SnSe2@C的XRD测试 Figure 1 XRD patterns of SnSe2 and SnSe2@C

图2是SnSe2和SnSe2@C在2×105放大倍数下的SEM图。SnSe2的形貌如图2(a)所示,它是直径为500~700 nm的球状颗粒,表面较平整。表面细微的颗粒可能是在高温煅烧过程中SnO2不均匀硒化形成的SnSe2图2(b)则是SnSe2@C的结构形貌,由于包覆了碳,表面变得更加粗糙,并且可以看到明显的碳壳层,球状颗粒的尺寸也略微增大,球状颗粒直径为600~700 nm。

图 2 SnSe2和SnSe2@C的SEM测试 Figure 2 SEM images of SnSe2 and SnSe2@C

图3为SnSe2@C的TEM图和能谱仪扫描图(Energy Dispersive Spectrometer, EDS)。通过透射电子显微镜图3(a)可以确定SnSe2@C是球状颗粒,且球状颗粒中央和边缘表现出衬度不同的现象,这说明SnSe2@C具有分层结构。EDS测试图3(c)、图3(d)和图3(e)可以看出Sn元素和Se元素的分布基本一致,且C元素的分布范围显然是大于Sn和Se元素的分布范围。这说明复合碳包覆在球体表面,而SnSe2则是整个在C的包覆下。同时,研究表明以盐酸多巴胺作为碳的来源时,在碳化后会产生N元素掺杂[13]图3(f)也表明合成的球状颗粒中含有N元素,且它的分布位置与C元素的分布一致,再次证明了其中C是位于颗粒外层。碳作为保护壳,可以缓冲SnSe2在Na+嵌入过程中的体积膨胀。同时氮掺杂碳基体在碳中的均匀分布可以提高复合材料的导电性,减少电化学反应过程中剧烈的体积变化和团聚现象。

图 3 SnSe2@C的TEM以及EDS扫描图 Figure 3 The TEM and EDS images of SnSe2@C

为了进一步探究SnSe2@C的元素组成和化学价,对材料进行XPS测试,如图4所示。图4(a)的Sn 3d光谱中,486.9 eV和495.3 eV处的强自旋轨道分别属于Sn4+的Sn 3d5/2和Sn 3d3/2[14]图4(b)为Se 3d的高分辨率XPS光谱。55.5 eV和54.9 eV处的2个突出的峰分别被确定为Se2-的Se 3d3/2和Se 3d5/2,而53.9 eV的峰则归属于Se–C键[15]。高分辨率光谱图4(c)中C 1s的288.7 eV、287.1 eV、286.4 eV和284.8 eV处的峰分别归属于C–Se、C–N、C–O和C–C/C=C键[15]。碳包覆层中的N掺杂也可以在N 1s光谱中检测到,如图4(d),其包括在398.7 eV、400.7 eV和403.4 eV处的3个拟合峰,分别对应于吡啶型氮(Pyridinic-N)、吡咯型氮(Pyrrolic-N)和石墨型氮(Graphitic-N)[16]。更值得注意的是,从N 1s以及Se 3d和C1s中的Se–C键的结果来看,吡啶型氮和吡咯型氮对碳的掺杂可以引入更多的缺陷作为Na+插入的活性位点,而SnSe2与外部碳的强相互作用可以加速界面处的电荷转移,促进反应动力学。

图 4 SnSe2@C的XPS光谱 Figure 4 XPS spectra of SnSe2@C
2.2 储钠性能

SnSe2@C和SnSe2的倍率性能如图5所示。倍率充放电性能测试的5个电流密度分别为0.2、0.5、1.0、2.0和5.0 A·g−1。SnSe2@C的对应充电比容量分别为563.9、460.0、383.0、309.6和226.6 mAh·g−1;对应的放电比容量分别为565.9、485.1、401.1、329.8和238.3 mAh·g−1。对于SnSe2来说,对应的充电比容量为407.3、332.3、275.0、213.5和136.5 mAh·g−1;对应的放电比容量为411.5、350.0、287.5、222.9和144.8 mAh·g−1。在不同电流密度下,SnSe2@C的比容量都比SnSe2高。这表明碳外壳提高了材料结构的稳定性,减少了活性物质SnSe2的流失。碳外壳将SnSe2在充放电过程中的体积膨胀空间限制在碳壳内部,使得活性物质不会脱离电极,因此减少了活性物质的流失[14]。恒流充放电30圈后,当电流从5.0 A·g−1回到0.2 A·g−1进行循环时,SnSe2@C和SnSe2均能表现出相对较高的可逆容量,且SnSe2@C的容量回升高于SnSe2,表现出了更良好的倍率性能。

图 5 SnSe2和SnSe2@C的倍率性能测试 Figure 5 The rate performances of SnSe2 and SnSe2@C

图6为SnSe2@C在倍率性能测试中不同电流密度下的充放电曲线图。随着电流密度的增大,充放电平台电位不会发生改变,证实了电化学过程在不同电流密度下的稳定性,说明不同电流下电池储能机理相同。同时,相同电流密度下的充电与放电容量接近,SnSe2@C在各个电流下都可以稳定进行可逆储钠,再次证明SnSe2@C优异的倍率性能。

图 6 SnSe2@C的充放电曲线 Figure 6 The charge/discharge curves of SnSe2@C

SnSe2@C和SnSe2的循环性能见图7。在较小电流1 A·g−1下的循环性能见图7(a),SnSe2@C和SnSe2的首圈放电容量分别为858.9 mAh·g−1和699.3 mAh·g−1,第二圈的容量分别为549.0 mAh·g−1和319.9 mAh·g−1。循环50圈后,SnSe2@C和SnSe2 的放电比容量为490.0 mAh·g−1和259.1 mAh·g−1

图 7 SnSe2和SnSe2@C的循环性能测试 Figure 7 Cycling performances of SnSe2 and SnSe2@C

它们都展现了较好的容量保持率。在较大电流5 A·g−1下的循环性能见图7(b),SnSe2@C和SnSe2的第一圈放电容量分别为735.4 mAh·g−1和712.1 mAh·g−1。第2圈的放电比容量分别为427.7 mAh·g−1和343.4 mAh·g−1。循环50圈后,SnSe2@C和SnSe2的放电比容量分别为341.0 mAh·g−1和248.1 mAh·g−1。总之,SnSe2@C的容量得到了较大提升,且循环性能好。

图8所示,通过EIS进一步研究SnSe2@C和SnSe2作为钠离子电池负极的反应动力学。图8(a)为EIS测试结果以及拟合结果,低频区与Warburg阻抗相关。SnSe2@C和SnSe2的交流阻抗图在高频区域呈现一个半圆形,随后在低频区域呈斜线状。半圆直径都较小,因此电化学阻抗小,电荷转移较快。SnSe2@C的溶液阻抗(Rs)为4.13 Ω,电荷转移电阻 (Rct)为4.93 Ω,均低于SnSe2(Rs为4.30 Ω,Rct为7.56 Ω),这表明氮掺杂碳外壳结构提高了SnSe2@C材料的电子导电性。通过计算拟合数据得到SnSe2@C和SnSe2的扩散系数如图8(b)所示。SnSe2@C的扩散系数为2.27×10−10 cm2·s−1,而SnSe2的扩散系数为7.59×10−11 cm2·s−1。SnSe2@C的扩散系数更高,这证实了在SnSe2@C电极中Na+扩散速率更快。

图 8 SnSe2和SnSe2@C的奈奎斯特图和扩散系数计算 Figure 8 Nyquist plots and diffusion coefficient calculation of SnSe2和SnSe2@C

为了进一步揭示SnSe2@C负极的反应动力学和钠储存机制,在0.5~2.5 mV·s−1的不同扫描速率下进行了CV测试,结果如图9所示。CV曲线中主要有3个氧化还原峰。随着扫描速率的增加,阳极峰Peak2几乎保持了原来的形状,而阳极峰Peak1和Peak3逐渐变宽,表明在SnSe2@C电极容量中同时存在扩散机制贡献和赝电容机制贡献。根据测量电流(I)与相应扫描速率(v)的关系,可以定性地分析赝电容效应的程度,见式(1)。

图 9 SnSe2@C作为SIBs负极的动力学和定量分析 Figure 9 Kinetic and quantitative analysis of the SnSe2@C anode in SIBs
$ I{{ = a}}{v^{{b}}} $ (1)

式中:ab是常数。b的值与电极的储能机制有关。当b=0.5时,表示完全扩散控制的法拉第过程;当b=1.0时,表示完全表面控制的赝电容行为[17]

图9(b)所示,SnSe2@C的b1b2b3分别为0.98、0.78和0.95。它们值都接近1.0,表明赝电容行为占主导地位,主要来自氧化还原赝电容机制。为了进一步量化Na+插层赝电容贡献的比例,利用一定电位V下,电流响应I(V)分为赝电容效应k1V和扩散控制的插入过程k2V1/2进行计算。

$ I{\text{(}}V{\text{) }} = {k_1}V + {k_2}{V^{\frac{1}{2}}} $ (2)

通过线性拟合I(V)/V1/2V1/2之间的关系,基于k1,可以计算出不同扫描速率下的赝电容贡献比例[17]图9(c)为计算后的赝电容贡献率。电容CV面积(粉色成块区域)表示在2.5 mV·s−1下获得并占主导地位的电容贡献(74.17%)。如图9(d)所示,随着扫描速率的增加,SnSe2@C对总电荷存储的电容性贡献逐渐增大。在扫描速率为0.5、1.0、1.5、2.0和2.5 mV·s−1时,电容性贡献分别为56.3%、63.3%、68.1%、71.4%和74.1%。这是因为在较高的扫描速率下,离子倾向于流淌过材料表面,而没有时间进行深度电子转换,因此扩散控制的电容较低,表面电容增大。高比例的电容贡献表明,在高倍率过程中,赝电容主导反应使得SnSe2@C可以拥有Na+快速输运的能力和优异的高倍率循环稳定性。

3 结论

综上所述,本文通过两步合成法制备了氮掺杂碳包覆的二硒化锡材料SnSe2@C。该材料被证明是一种兼具高容量和高倍率的优异储钠负极材料。在1.0 A·g−1下,SnSe2@C的比容量为549.0 mAh·g−1,且在5.0 A·g−1下仍可达到427.7 mAh·g−1。氮掺杂碳外壳的结构设计大大缓解了SnSe2在充放电过程中结构坍塌导致活性失效的问题,同时使得SnSe2与碳强相互作用加速界面处的电荷转移,促进反应动力学且保证了较大的赝电容贡献。此外,氮掺杂可以引入更多的缺陷作为Na+插入的活性位点,提高材料容量。因此SnSe2@C不仅具有优异的倍率性能还具有较高的比容量,是一种有前景的钠离子电池负极材料。

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