广东工业大学学报  2020, Vol. 37Issue (1): 27-33.  DOI: 10.12052/gdutxb.190018.
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引用本文 

鲁重瑞, 赵韦人, 廖子锋, 宋静周, 夏梦龙, 杨焕鑫. 铕掺杂NASICON结构红色荧光粉制备和发光性能[J]. 广东工业大学学报, 2020, 37(1): 27-33. DOI: 10.12052/gdutxb.190018.
Lu Chong-rui, Zhao Wei-ren, Liao Zi-feng, Song Jing-zhou, Xia Meng-long, Yang Huan-xin. Preparation and Luminescence Properties of Eu3+ Doped NASICON-based Red Phosphors [J]. JOURNAL OF GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2020, 37(1): 27-33. DOI: 10.12052/gdutxb.190018.

基金项目:

广东省科学技术厅应用型科技研发及重大科技成果转化专项(2017B010127002)

作者简介:

鲁重瑞(1992–),男,硕士研究生,主要研究方向为无机发光材料。

通信作者

赵韦人(1965–),男,教授,主要研究方向为无机发光材料,E-mail:zwrab@163.com

文章历史

收稿日期:2019-01-19
铕掺杂NASICON结构红色荧光粉制备和发光性能
鲁重瑞, 赵韦人, 廖子锋, 宋静周, 夏梦龙, 杨焕鑫    
广东工业大学 物理与光电工程学院,广东 广州 510006
摘要: 采用高温固相法在空气气氛中制备了具有NASICON结构的Eu3+掺杂Na3Zr2Si2PO12: Eu3+红色荧光粉。利用X射线衍射、漫反射光谱、荧光光谱、荧光寿命衰减曲线以及量子效率系统研究了该样品的晶体结构及荧光性能。结果表明, 样品XRD图中不含明显的杂峰, 表明在实验浓度范围内Eu3+的掺杂没有改变基质的晶体结构, 样品为单相。合成过程中, 需要对样品多次压片烧结, 才能获得较好的单相。在近紫外光激发下, 样品能发出618 nm红光, 荧光强度最大对应的Eu3+的掺杂摩尔分数是24%。根据Rexter理论分析, 浓度猝灭源于Eu3+离子之间的电四极−电四极相互作用。样品在室温下的最高内量子效率和外量子效率分别是61%和15%, 荧光衰减的寿命范围在2.08~2.84 ms。样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+在150 ℃时内量子效率约为50%, 表明样品具有良好的热稳定性。将样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+与394 nm波长的紫外芯片封装成LED灯, 显色指数达到75.6. Eu3+掺杂Na3Zr2Si2PO12有望作为一种新型红色荧光粉用于近紫外激发白光LED。
关键词: 三价铕离子    Na3Zr2Si2PO12    红色荧光粉    发光性能    
Preparation and Luminescence Properties of Eu3+ Doped NASICON-based Red Phosphors
Lu Chong-rui, Zhao Wei-ren, Liao Zi-feng, Song Jing-zhou, Xia Meng-long, Yang Huan-xin    
School of Physics and Optoelectronic Engineering, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China
Abstract: In order to explore a new type of red phosphor, Eu3+ doped NASICON structure-based phosphors Na3Si2PO12:Eu3+ were prepared by high temperature solid phase method in air atmosphere. The crystal structure and optical properties of the samples were systematically studied by X-ray diffraction, diffuse reflectance spectroscopy, fluorescence spectroscopy, fluorescence lifetime decay curve and quantum efficiency. The results demonstrate that XRD patterns confirm the pure phase of Na3Zr2Si2PO12: Eu3+ phosphor as obtained, since not any excess peaks can be found in XRD patterns and Eu3+ doping does not change the crystal structure of Na3Zr2Si2PO12 host. Eu3+ doping ensures the red emission at 618 nm under the excitation at UV light. An optimized doping concentration of Eu3+ is 24%, while the quenching mechanism beyond the doping concentration at 24% is electric quadrupole-electric quadrupole interaction according to Rexter Theory. The highest internal and external quantum efficiencies are 61% and 15%, respectively; furthermore, the luminescence quenching can be suppressed even at 150 ℃, depending on a high internal quantum efficiency about 50%. It is packaged into an LED lamp with a color rendering index of 79.4. Therefore, Eu3+ doped Na3Zr2Si2PO12 is expected to be used as a new type of red phosphor for white LEDs.
Key words: Eu3+    Na3Zr2Si2PO12    red phosphor    luminescence properties    

白光LED的节能、长寿命、高效率、环保等优点,使其成为新一代的照明光源[1-3]。从成本和技术成熟度上考虑,目前商业化白光LED是通过蓝光芯片激发黄色荧光粉来实现的,但这种方式必须加入红色荧光粉,才能满足显色指数和色温的要求。高亮度、高稳定性的蓝色和绿色荧光粉已经得到了很好的商业化应用,但红色荧光粉的研究和应用相对滞后。虽然基于氮化物和红色荧光粉已商业化,但是氮化物红色荧光粉生产条件苛刻,制备成本高[4-6],而且由于其制备方法的局限,不适合大批量生产。因此,探索新型红色荧光材料不仅具有重要的理论意义,也有巨大的实用价值。

Eu3+离子具有4f 6电子组态。在无机基质中,Eu3+离子的激发光谱一般由一个宽的电荷迁移带和一系列4f-4f跃迁的线状激发峰组成。发射光谱主要由4f带内的5D07FJ (J=0,1,2,3,4,5,6)跃迁产生[7]。由于受到5d电子的屏蔽,4f-4f跃迁产生的发光受基质影响较小,发光峰通常位于610 nm左右,但峰的相对强度会明显受晶格对称性的影响。一般而言,当Eu3+占据高对称性格位时,发射波长较短的磁偶极跃迁5D07F1 占优;反之,当Eu3+占据低对称性格位时,发射波长较长的电偶极跃迁5D07F2 占优[8-9]。因为红色荧光粉是与黄色荧光粉搭配使用,调制显色指数,因此同步有效的蓝光激发是设计Eu3+离子掺杂红色荧光粉的关键考虑因素[10]。在NASICON结构中,ZrO6八面体与PO4或者SiO4四面体共同形成骨架结构,Na离子位于骨架缝隙之间形成NaO6八面体[11-13]。Eu3+占据NaO6八面体能显著提高7F05DJ (J=1~4)的跃迁几率,因此适合制备近紫外和蓝光激发红光荧光粉。虽然这种材料结构烧结温度不同[14],但尚未有关于将Na3Zr2Si2PO12作为荧光基质材料的报道。本文利用高温固相法合成并研究了Eu3+掺杂的Na3Zr2Si2PO12的发光行为。结果表明,要获得纯相,通常需要加入过量的Na与P组分,并且多次的压片和烧结;在蓝光激发,获得了较高亮度红光发射,内量子效率可以达到61%;在150 ℃时仍能保持50%以上量子效率。掺杂电荷补偿剂Li+后,样品的发光强度增强约56%。

1 实验部分 1.1 材料制备

实验用原材料包括氧化铕(99.9%,麦克林),二氧化锆(99.0%,阿拉丁),磷酸二氢铵(99.0%,天津市致远化学试剂有限公司),无水碳酸钠(99.9%,天津市大茂化学试剂厂),二氧化硅(99.0%,天津市大茂化学试剂厂)。按Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56)的化学计量配比,在玛瑙研钵中研磨50 min,使其充分混合。混合物先在400 °C下预烧5 h,待自然冷却后将产物再进行2次粉碎、压片和烧结,烧结温度分别为1 100 °C和1 200 °C,烧结时间分别为5 h和6 h。待自然冷却、研磨得到最终产物。

使用反应物Li2CO3,按成份Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+,0.24Li+配比,用相同的工艺制备样品,研究电荷补偿对发光的影响。

最后将样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+与商业绿粉(有研稀土新材料股份有限公司,型号FS-500A)以4.1:1的质量比例配制荧光胶,与394 nm波长的紫外芯片结合制作LED照明器件,研究其光色参数。

1.2 表征测试

用Bruker D8 Advance型X射线衍射仪对样品进行了相分析,所用辐射源是CuKα(λ=0.154 06 nm),管压为36 kV,电流为20 mA,扫描范围10°~70°。用TU-1901双光束紫外可见分光光度计测量了样品的漫反射光谱,参比样品为BaSO4。荧光寿命、激发光谱和发射光谱采用FLS980荧光光谱仪。量子效率、变温光谱、变温量子效率由QE-2100量子效率仪测试。用LED自动温控光电分析测试系统(ATA-500,远方公司)测试LED灯,所有测试均在室温下进行。

2 结果与讨论 2.1 物相与结构分析

图1是样品的XRD图谱,可以看出,所有样品的衍射峰与Na3Zr2Si2PO12晶体的标准PDF卡片(JCPDS 33-1313)完全匹配,表明样品都是单相Na3Zr2Si2PO12晶体,Eu3+离子掺杂没有改变基质的晶体结构。

图 1 样品Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56) 与标准卡片的XRD图 Figure 1 XRD patterns of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56) samples and standard XRD patterns

Na3Zr2Si2PO12的结构示意图如图2所示,Na3Zr2Si2PO12属于单斜晶系,空间群C12/c1,a =1.56 nm,b=0.921 nm,c=0.921 nm,β=123.7°,V=1.10 nm3。Na+(六配位,八面体)、Zr4+(六配位,八面体)、Eu3+(六配位,八面体)的离子半径分别是0.116,0.072和0.108 7 nm。通过离子半径大小对比,发现Eu3+离子半径与Na+离子半径大小接近,且Eu3+离子半径比Na+离子半径略小,因此,Eu3+进入基质晶格后可能取代Na+离子和Zr4+离子位置,衍射峰位向大角度方向移动(如图1所示),晶格常数a, b, c随着浓度增加有变小趋势。

图 2 Na3Zr2Si2PO12晶体结构示意图 Figure 2 Crystal structure diagram of Na3Zr2Si2PO12
2.2 漫反射光谱

图3为样品Na3Zr2Si2PO12和Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+的漫反射光谱。220~330 nm吸收来源于基质带间跃迁。对比纯Na3Zr2Si2PO12与Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+样品,后者多了一些窄的稀土特征吸收峰,如360,380,394,465 nm,分别属于Eu3+7F05D4 , 7F05G2 , 7F05L6 , 7F05D2的吸收跃迁。394 nm处是最强吸收峰,465 nm是次强的吸收峰,说明样品可以有效被近紫外光和蓝光激发。

图 3 样品Na3Zr2Si2PO12与Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+的漫反射光谱,插图表示用外推法得到的荧光粉禁带宽度 Figure 3 Diffused reflectance spectra of Na3Zr2Si2PO12 and Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+samples. The inset shows the extrapolation of the bandgap energy for the host

根据Som[15]的文献,可得[16]

$ {\left[ {F\left( {{R_\infty }} \right)hv } \right]^2} = A{\left( {hv - {E_{\rm{g}}}} \right)^n} $ (1)
$ F\left( {{R_\infty }} \right) = \frac{{1 - {R_\infty }^2}}{{2{R_\infty }}} $ (2)

其中,F(R)是中间(Kubelka-Munk)函数,R代表反射系数,h是普朗克常数,v代表频率,Eg代表光学带隙,n是常数,A是常数。对无机非金属材料,n=1。用[F(R)hv]2表示hv的函数,通过外推线性拟合到[F(R)hv]2 =0的区域,就可以得到基质材料带隙Eg的大小。如图3插图所示,基质材料Na3Zr2Si2PO12的带隙约为5.882 eV。

2.3 激发和发射光谱

图4是样品Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01,0.16, 0.24, 0.32, 0.40,0.48,0.56)对应于发射波长618 nm的激发光谱。可以看出,激发光谱由峰值波长位于318,360,380,394,465 nm的窄峰组成,350~550 nm范围中的激发峰均属于Eu3+的f→f的吸收跃迁,394 nm 与465 nm峰分别对应7F05L6,7F05D2的跃迁. 插图表示200~280 nm的激发光谱,对应于Eu3+-O2电荷迁移带。随着Eu3+的浓度增加,激发强度先增强后减弱,在Eu3+浓度为0.24时达到最强。最强的激发峰的波长394 nm与近紫外LED 芯片能很好匹配。

图 4 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56)在618 nm监测下的激发图谱,插图表示的是200~280 nm的激发光谱 Figure 4 Excitation spectra of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x= 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48 and 0.56) monitored at 618 nm; the inset shows the excitation spectrum from 200 to 280 nm

图5为样品在394 nm波长激发下的发射光谱图。可以看出,发射光谱主要由4个Eu3+的特征锐线发射峰591,618,653和700 nm组成,分别对应于5D07FJ(J = 1,2,3,4)的特征跃迁发射。随着Eu3+浓度的增加,其发光强度是先增加后减弱. 图5插图表示Eu3+的掺杂浓度与618 nm的发光强度的关系。可以看出,当Eu3+的浓度达到0.24时,其发光强度达到最大,随后强度持续减弱,这是由于浓度猝灭所致。

图 5 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56)在394 nm波长激发下的发射光谱,插图中表示的是发射强度与Eu3+掺杂摩尔分数之间的关系 Figure 5 PL spectra for Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48 and 0.56) with different Eu3+ concentrations. The inset shows the dependence of emission intensity on Eu3+ doping concentration

根据Blasse理论[17],浓度猝灭与离子间的临界距离是有关,并且提出计算晶体中能量传递的临界距离(Rc)公式[18]

$ {R_c} = 2{\left( {\frac{{3V}}{{4\text{π} xN}}} \right)^{1/3}} $ (3)

其中,N为单个晶胞包含的分子数,V为浓度猝灭时晶胞体积,x是猝灭浓度。本文中N=4,x=0.24,V=1.10 nm3。将VxN的数值代入式(3)中,得到Rc=0.651 nm。Rc大于电子交换作用要求的临界距离0.5 nm。因此浓度猝灭不是由于电子交换作用所致。

据Dexter[19]理论,发射光强度I与掺杂摩尔分数x之间满足式(4)的条件。

$ \frac{I}{x} = \frac{k}{{\left( {1 + \beta {{\left( x \right)}^{\theta /3}}} \right)}} $ (4)

其中,kβ都是常数. 对式(4)两边求对数,可得式(5)。

$ \lg \frac{I}{x} = c - \left( {\frac{\theta }{3}} \right)\lg\;\!x $ (5)

式中,c是常数。θ取值与多极相互作用的性质有关,θ=6,8和10分别对应对电偶极矩−电偶极、电偶极−电四极、电四极−电四极相互作用。取x=0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56的样品,作出lg(I/x)和lg(x)的关系图,如图6所示。通过线性拟合,得出斜率(–θ)/3= –3.490 2,所以 θ=10.470 6,与10比较接近。因此,Eu3+的浓度猝灭可以归因于电四极−电四极相互作用。

图 6 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+的lg(I/x)和lg x的关系曲线 Figure 6 Relationship between lg(I/x) and lg x of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+

图7是Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+和Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+,0.24Li+在394 nm波长激发下的发射光谱,显然电荷补偿Li+的掺入能明显提高发光强度,峰值强度提升约56%。

图 7 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+与Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+, 0.24Li+在394 nm激发下的发射光谱 Figure 7 Emission spectrum of Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+ and Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+, 0.24Li+ at 394 nm excitation
2.4 荧光衰减曲线

图8是样品在394 nm激发下、监测618 nm发射的荧光衰减曲线图。研究表明,荧光衰减曲线能用单指数衰减公式

$ {I_t} = {I_1} + {I_0}\;{\rm{exp}}( - t/\tau) $ (6)

很好地拟合。式(6)中,Itt时刻的发光强度,I1I0都是常数, $\tau$ 是荧光寿命。拟合得到Na3−xZr2Si2PO12: xEu3+对应于x 为 0.01,0.16,0.24,0.32,0.4,0.48和0.56时的寿命分别是2.84,2.79,2.76,2.73,2.67,2.51和2.08 ms。显然随着Eu3+掺杂浓度的增加,寿命逐渐减小,这是由于Eu3+浓度的增加引起Eu3+距离缩短,非辐射跃迁加剧所致。

图 8 样品 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0. 48, 0.56)的荧光衰减曲线 Figure 8 The luminescence decay curve of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56) phosphor
2.5 量子效率

表1是不同Eu3+浓度掺杂的样品在394 nm激发下的室温内、外量子效率。内、外量子效率随着Eu3+的浓度增加先增加后减小,并且在x=0.24时,内、外量子效率达到最大,这与发射光谱所反映的最大发光强度一致。

表 1 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48和0.56)在394 nm激发下618 nm发射内、外量子效率 Table 1 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48 and 0.56) 618 nm emission at 394 nm excitation, internal and external quantum efficiency

图9是样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+在 394 nm激发波长的变温内、外量子效率图。随着温度的升高,量子效率减小,但是在150 ℃时,内量子效率依然保持在50%左右。这说明该材料具有较好的热稳定性。

图 9 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+ 在394 nm激发波长的内、外量子效率的温度依赖性 Figure 9 Temperature-dependence of internal and external quantum efficiency for Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+ at 394 nm excitation
2.6 变温光谱

随着温度的升高,样品的发光强度会降低,所以光致发光的热稳定性在红色磷光体中起重要作用[20]图10是Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+在394 nm波长激发下338~548 K温度范围的发射光谱。发光强度随着温度的升高而单调下降。548 K时的发光强度相对于338 K的强度下降了78.6%。

图 10 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+在338~548 K温度范围的发射光谱 Figure 10 Emission spectra of Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+phosphor in the temperature range of 338~548 K

根据温度猝灭理论,发光强度与温度符合公式(7)[21]

$ {I_T} = \frac{{{I_0}}}{{1 + R\;{\rm{exp}}\left[ { - E/{k_0}T} \right]}} $ (7)

式中IT是不同温度T下的发光强度,R是常数,I0是初始温度时候的发光强度,E是热激活能,k0是玻尔兹曼常数。式(7)可以写成

$ \frac{{{I_0}}}{{{I_T}}} = 1 + R\;{\rm{exp}}\left[ { - E/{k_0}T} \right] $ (8)

两边取对数得

$ \ln \left( {\frac{{{I_0}}}{{{I_T}}} - 1} \right) = - \frac{E}{{{k_0}T}} + \ln R $ (9)

根据图10的实验数据,可利用式(9)进行线性拟合,得到图11。拟合得到直线斜率 $\displaystyle - \frac{E}{{{k_0}}} = - 5\;693.9$ ,可得到样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+的激活能E = 0.504 eV。相对于一般的荧光粉,此激活能较高,表明样品有较好的热稳定性。

图 11 1/T与ln(I0/IT−1)变化关系 Figure 11 Relationship between 1/T and ln(I0/IT−1)
2.7 LED器件制作

图12(a)是394 nm发射波长的紫外芯片与FS-500A绿粉、Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+荧光粉封装后的LED器件的发光光谱,其中红、绿、蓝比例为11.6 : 80.7 : 7.7,显色指数Ra=75.6,色温CCT=6 358 K。理论上如果进一步增加绿粉与红粉的浓度,可以增加LED器件的显色指数,同时降低色温。图12(b)是LED器件的色坐标图(0.305 3, 0.413 8)。同时图中还给出了红色荧光粉Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+的色坐标(0.645,0.354)。

图 12 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+、绿粉与紫外芯片结合制作的LED发光器件的发射光谱(a)及其色坐标(b), (b)中还给出了所用红粉的色坐标 Figure 12 The spectrum of the LED device obtained by using Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+, green phosphor and ultraviolet chips (a), and its CIE coordination (b), together with the CIE coordination of the red phosphor in Fig. 12(b)
3 结论

本文采用高温固相法制备了Eu3+掺杂的Na3Zr2Si2PO12荧光粉。研究表明,为了获得纯相,必须要加入过量的Na与P组分,并且多次的压片烧结。Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+材料能吸收394 nm近紫外光,发射591 nm橙光和618 nm红光。随着掺杂离子浓度的增加,发射光强度先增强后减弱,发光最强对应的掺杂浓度为0.24。浓度猝灭机理是电四极−电四极相互作用。Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+的带隙为5.882 eV,内量子效率达到61 %。加入Li+作为电荷补偿,发光强度可以提升约56%。样品具有良好的抗热猝灭性能。用Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+和绿粉及紫外芯片制作的LED器件,显色指数能达到75.6,色温6 358 K。显色指数有进一步的提升空间。Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+有望作为一种新型红色荧光粉,用在紫外激发的白光LED产品中。

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