白光LED的节能、长寿命、高效率、环保等优点,使其成为新一代的照明光源[1-3]。从成本和技术成熟度上考虑,目前商业化白光LED是通过蓝光芯片激发黄色荧光粉来实现的,但这种方式必须加入红色荧光粉,才能满足显色指数和色温的要求。高亮度、高稳定性的蓝色和绿色荧光粉已经得到了很好的商业化应用,但红色荧光粉的研究和应用相对滞后。虽然基于氮化物和红色荧光粉已商业化,但是氮化物红色荧光粉生产条件苛刻,制备成本高[4-6],而且由于其制备方法的局限,不适合大批量生产。因此,探索新型红色荧光材料不仅具有重要的理论意义,也有巨大的实用价值。
Eu3+离子具有4f 6电子组态。在无机基质中,Eu3+离子的激发光谱一般由一个宽的电荷迁移带和一系列4f-4f跃迁的线状激发峰组成。发射光谱主要由4f带内的5D0→7FJ (J=0,1,2,3,4,5,6)跃迁产生[7]。由于受到5d电子的屏蔽,4f-4f跃迁产生的发光受基质影响较小,发光峰通常位于610 nm左右,但峰的相对强度会明显受晶格对称性的影响。一般而言,当Eu3+占据高对称性格位时,发射波长较短的磁偶极跃迁5D0→7F1 占优;反之,当Eu3+占据低对称性格位时,发射波长较长的电偶极跃迁5D0→7F2 占优[8-9]。因为红色荧光粉是与黄色荧光粉搭配使用,调制显色指数,因此同步有效的蓝光激发是设计Eu3+离子掺杂红色荧光粉的关键考虑因素[10]。在NASICON结构中,ZrO6八面体与PO4或者SiO4四面体共同形成骨架结构,Na离子位于骨架缝隙之间形成NaO6八面体[11-13]。Eu3+占据NaO6八面体能显著提高7F0→5DJ (J=1~4)的跃迁几率,因此适合制备近紫外和蓝光激发红光荧光粉。虽然这种材料结构烧结温度不同[14],但尚未有关于将Na3Zr2Si2PO12作为荧光基质材料的报道。本文利用高温固相法合成并研究了Eu3+掺杂的Na3Zr2Si2PO12的发光行为。结果表明,要获得纯相,通常需要加入过量的Na与P组分,并且多次的压片和烧结;在蓝光激发,获得了较高亮度红光发射,内量子效率可以达到61%;在150 ℃时仍能保持50%以上量子效率。掺杂电荷补偿剂Li+后,样品的发光强度增强约56%。
1 实验部分 1.1 材料制备实验用原材料包括氧化铕(99.9%,麦克林),二氧化锆(99.0%,阿拉丁),磷酸二氢铵(99.0%,天津市致远化学试剂有限公司),无水碳酸钠(99.9%,天津市大茂化学试剂厂),二氧化硅(99.0%,天津市大茂化学试剂厂)。按Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56)的化学计量配比,在玛瑙研钵中研磨50 min,使其充分混合。混合物先在400 °C下预烧5 h,待自然冷却后将产物再进行2次粉碎、压片和烧结,烧结温度分别为1 100 °C和1 200 °C,烧结时间分别为5 h和6 h。待自然冷却、研磨得到最终产物。
使用反应物Li2CO3,按成份Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+,0.24Li+配比,用相同的工艺制备样品,研究电荷补偿对发光的影响。
最后将样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+与商业绿粉(有研稀土新材料股份有限公司,型号FS-500A)以4.1:1的质量比例配制荧光胶,与394 nm波长的紫外芯片结合制作LED照明器件,研究其光色参数。
1.2 表征测试用Bruker D8 Advance型X射线衍射仪对样品进行了相分析,所用辐射源是CuKα(λ=0.154 06 nm),管压为36 kV,电流为20 mA,扫描范围10°~70°。用TU-1901双光束紫外可见分光光度计测量了样品的漫反射光谱,参比样品为BaSO4。荧光寿命、激发光谱和发射光谱采用FLS980荧光光谱仪。量子效率、变温光谱、变温量子效率由QE-2100量子效率仪测试。用LED自动温控光电分析测试系统(ATA-500,远方公司)测试LED灯,所有测试均在室温下进行。
2 结果与讨论 2.1 物相与结构分析图1是样品的XRD图谱,可以看出,所有样品的衍射峰与Na3Zr2Si2PO12晶体的标准PDF卡片(JCPDS 33-1313)完全匹配,表明样品都是单相Na3Zr2Si2PO12晶体,Eu3+离子掺杂没有改变基质的晶体结构。
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图 1 样品Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56) 与标准卡片的XRD图 Figure 1 XRD patterns of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56) samples and standard XRD patterns |
Na3Zr2Si2PO12的结构示意图如图2所示,Na3Zr2Si2PO12属于单斜晶系,空间群C12/c1,a =1.56 nm,b=0.921 nm,c=0.921 nm,β=123.7°,V=1.10 nm3。Na+(六配位,八面体)、Zr4+(六配位,八面体)、Eu3+(六配位,八面体)的离子半径分别是0.116,0.072和0.108 7 nm。通过离子半径大小对比,发现Eu3+离子半径与Na+离子半径大小接近,且Eu3+离子半径比Na+离子半径略小,因此,Eu3+进入基质晶格后可能取代Na+离子和Zr4+离子位置,衍射峰位向大角度方向移动(如图1所示),晶格常数a, b, c随着浓度增加有变小趋势。
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图 2 Na3Zr2Si2PO12晶体结构示意图 Figure 2 Crystal structure diagram of Na3Zr2Si2PO12 |
图3为样品Na3Zr2Si2PO12和Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+的漫反射光谱。220~330 nm吸收来源于基质带间跃迁。对比纯Na3Zr2Si2PO12与Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+样品,后者多了一些窄的稀土特征吸收峰,如360,380,394,465 nm,分别属于Eu3+的7F0→5D4 , 7F0→5G2 , 7F0→5L6 , 7F0→5D2的吸收跃迁。394 nm处是最强吸收峰,465 nm是次强的吸收峰,说明样品可以有效被近紫外光和蓝光激发。
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图 3 样品Na3Zr2Si2PO12与Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+的漫反射光谱,插图表示用外推法得到的荧光粉禁带宽度 Figure 3 Diffused reflectance spectra of Na3Zr2Si2PO12 and Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+samples. The inset shows the extrapolation of the bandgap energy for the host |
| $ {\left[ {F\left( {{R_\infty }} \right)hv } \right]^2} = A{\left( {hv - {E_{\rm{g}}}} \right)^n} $ | (1) |
| $ F\left( {{R_\infty }} \right) = \frac{{1 - {R_\infty }^2}}{{2{R_\infty }}} $ | (2) |
其中,F(R∞)是中间(Kubelka-Munk)函数,R∞代表反射系数,h是普朗克常数,v代表频率,Eg代表光学带隙,n是常数,A是常数。对无机非金属材料,n=1。用[F(R∞)hv]2表示hv的函数,通过外推线性拟合到[F(R∞)hv]2 =0的区域,就可以得到基质材料带隙Eg的大小。如图3插图所示,基质材料Na3Zr2Si2PO12的带隙约为5.882 eV。
2.3 激发和发射光谱图4是样品Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01,0.16, 0.24, 0.32, 0.40,0.48,0.56)对应于发射波长618 nm的激发光谱。可以看出,激发光谱由峰值波长位于318,360,380,394,465 nm的窄峰组成,350~550 nm范围中的激发峰均属于Eu3+的f→f的吸收跃迁,394 nm 与465 nm峰分别对应7F0→5L6,7F0→5D2的跃迁. 插图表示200~280 nm的激发光谱,对应于Eu3+-O2电荷迁移带。随着Eu3+的浓度增加,激发强度先增强后减弱,在Eu3+浓度为0.24时达到最强。最强的激发峰的波长394 nm与近紫外LED 芯片能很好匹配。
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图 4 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56)在618 nm监测下的激发图谱,插图表示的是200~280 nm的激发光谱 Figure 4 Excitation spectra of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x= 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48 and 0.56) monitored at 618 nm; the inset shows the excitation spectrum from 200 to 280 nm |
图5为样品在394 nm波长激发下的发射光谱图。可以看出,发射光谱主要由4个Eu3+的特征锐线发射峰591,618,653和700 nm组成,分别对应于5D0→7FJ(J = 1,2,3,4)的特征跃迁发射。随着Eu3+浓度的增加,其发光强度是先增加后减弱. 图5插图表示Eu3+的掺杂浓度与618 nm的发光强度的关系。可以看出,当Eu3+的浓度达到0.24时,其发光强度达到最大,随后强度持续减弱,这是由于浓度猝灭所致。
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图 5 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56)在394 nm波长激发下的发射光谱,插图中表示的是发射强度与Eu3+掺杂摩尔分数之间的关系 Figure 5 PL spectra for Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0, 0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48 and 0.56) with different Eu3+ concentrations. The inset shows the dependence of emission intensity on Eu3+ doping concentration |
根据Blasse理论[17],浓度猝灭与离子间的临界距离是有关,并且提出计算晶体中能量传递的临界距离(Rc)公式[18]。
| $ {R_c} = 2{\left( {\frac{{3V}}{{4\text{π} xN}}} \right)^{1/3}} $ | (3) |
其中,N为单个晶胞包含的分子数,V为浓度猝灭时晶胞体积,x是猝灭浓度。本文中N=4,x=0.24,V=1.10 nm3。将V,x,N的数值代入式(3)中,得到Rc=0.651 nm。Rc大于电子交换作用要求的临界距离0.5 nm。因此浓度猝灭不是由于电子交换作用所致。
据Dexter[19]理论,发射光强度I与掺杂摩尔分数x之间满足式(4)的条件。
| $ \frac{I}{x} = \frac{k}{{\left( {1 + \beta {{\left( x \right)}^{\theta /3}}} \right)}} $ | (4) |
其中,k和β都是常数. 对式(4)两边求对数,可得式(5)。
| $ \lg \frac{I}{x} = c - \left( {\frac{\theta }{3}} \right)\lg\;\!x $ | (5) |
式中,c是常数。θ取值与多极相互作用的性质有关,θ=6,8和10分别对应对电偶极矩−电偶极、电偶极−电四极、电四极−电四极相互作用。取x=0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56的样品,作出lg(I/x)和lg(x)的关系图,如图6所示。通过线性拟合,得出斜率(–θ)/3= –3.490 2,所以 θ=10.470 6,与10比较接近。因此,Eu3+的浓度猝灭可以归因于电四极−电四极相互作用。
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图 6 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+的lg(I/x)和lg x的关系曲线 Figure 6 Relationship between lg(I/x) and lg x of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ |
图7是Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+和Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+,0.24Li+在394 nm波长激发下的发射光谱,显然电荷补偿Li+的掺入能明显提高发光强度,峰值强度提升约56%。
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图 7 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+与Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+, 0.24Li+在394 nm激发下的发射光谱 Figure 7 Emission spectrum of Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+ and Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+, 0.24Li+ at 394 nm excitation |
图8是样品在394 nm激发下、监测618 nm发射的荧光衰减曲线图。研究表明,荧光衰减曲线能用单指数衰减公式
| $ {I_t} = {I_1} + {I_0}\;{\rm{exp}}( - t/\tau) $ | (6) |
很好地拟合。式(6)中,It是t时刻的发光强度,I1和I0都是常数,
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图 8 样品 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0. 48, 0.56)的荧光衰减曲线 Figure 8 The luminescence decay curve of Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48, 0.56) phosphor |
表1是不同Eu3+浓度掺杂的样品在394 nm激发下的室温内、外量子效率。内、外量子效率随着Eu3+的浓度增加先增加后减小,并且在x=0.24时,内、外量子效率达到最大,这与发射光谱所反映的最大发光强度一致。
| 表 1 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48和0.56)在394 nm激发下618 nm发射内、外量子效率 Table 1 Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+ (x=0.01, 0.16, 0.24, 0.32, 0.40, 0.48 and 0.56) 618 nm emission at 394 nm excitation, internal and external quantum efficiency |
图9是样品Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+在 394 nm激发波长的变温内、外量子效率图。随着温度的升高,量子效率减小,但是在150 ℃时,内量子效率依然保持在50%左右。这说明该材料具有较好的热稳定性。
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图 9 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+ 在394 nm激发波长的内、外量子效率的温度依赖性 Figure 9 Temperature-dependence of internal and external quantum efficiency for Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+ at 394 nm excitation |
随着温度的升高,样品的发光强度会降低,所以光致发光的热稳定性在红色磷光体中起重要作用[20]。图10是Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+在394 nm波长激发下338~548 K温度范围的发射光谱。发光强度随着温度的升高而单调下降。548 K时的发光强度相对于338 K的强度下降了78.6%。
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图 10 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+在338~548 K温度范围的发射光谱 Figure 10 Emission spectra of Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+phosphor in the temperature range of 338~548 K |
根据温度猝灭理论,发光强度与温度符合公式(7)[21]。
| $ {I_T} = \frac{{{I_0}}}{{1 + R\;{\rm{exp}}\left[ { - E/{k_0}T} \right]}} $ | (7) |
式中IT是不同温度T下的发光强度,R是常数,I0是初始温度时候的发光强度,E是热激活能,k0是玻尔兹曼常数。式(7)可以写成
| $ \frac{{{I_0}}}{{{I_T}}} = 1 + R\;{\rm{exp}}\left[ { - E/{k_0}T} \right] $ | (8) |
两边取对数得
| $ \ln \left( {\frac{{{I_0}}}{{{I_T}}} - 1} \right) = - \frac{E}{{{k_0}T}} + \ln R $ | (9) |
根据图10的实验数据,可利用式(9)进行线性拟合,得到图11。拟合得到直线斜率
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图 11 1/T与ln(I0/IT−1)变化关系 Figure 11 Relationship between 1/T and ln(I0/IT−1) |
图12(a)是394 nm发射波长的紫外芯片与FS-500A绿粉、Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+荧光粉封装后的LED器件的发光光谱,其中红、绿、蓝比例为11.6 : 80.7 : 7.7,显色指数Ra=75.6,色温CCT=6 358 K。理论上如果进一步增加绿粉与红粉的浓度,可以增加LED器件的显色指数,同时降低色温。图12(b)是LED器件的色坐标图(0.305 3, 0.413 8)。同时图中还给出了红色荧光粉Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+的色坐标(0.645,0.354)。
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图 12 Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+、绿粉与紫外芯片结合制作的LED发光器件的发射光谱(a)及其色坐标(b), (b)中还给出了所用红粉的色坐标 Figure 12 The spectrum of the LED device obtained by using Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24Eu3+, green phosphor and ultraviolet chips (a), and its CIE coordination (b), together with the CIE coordination of the red phosphor in Fig. 12(b) |
本文采用高温固相法制备了Eu3+掺杂的Na3Zr2Si2PO12荧光粉。研究表明,为了获得纯相,必须要加入过量的Na与P组分,并且多次的压片烧结。Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+材料能吸收394 nm近紫外光,发射591 nm橙光和618 nm红光。随着掺杂离子浓度的增加,发射光强度先增强后减弱,发光最强对应的掺杂浓度为0.24。浓度猝灭机理是电四极−电四极相互作用。Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+的带隙为5.882 eV,内量子效率达到61 %。加入Li+作为电荷补偿,发光强度可以提升约56%。样品具有良好的抗热猝灭性能。用Na2.76Zr2Si2PO12: 0.24 Eu3+和绿粉及紫外芯片制作的LED器件,显色指数能达到75.6,色温6 358 K。显色指数有进一步的提升空间。Na3-xZr2Si2PO12: xEu3+有望作为一种新型红色荧光粉,用在紫外激发的白光LED产品中。
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